CY7C1062GE30-10BGXIT Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesSRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 512K x 32 10ns 119-Pin PBGA T/R
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY7C1062GE30-10BGXIT Infineon Technologies
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 16Mb SRAM, Memory organisation: 512kx32bit, Access time: 10ns, Case: PBGA119, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: reel; tape, Supply voltage: 2.2...3.6V DC.
Інші пропозиції CY7C1062GE30-10BGXIT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CY7C1062GE30-10BGXIT | Виробник : Cypress Semiconductor Corp |
Description: IC SRAM 16M PARALLEL 119PBGA |
товару немає в наявності |
|
 |
CY7C1062GE30-10BGXIT | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM ASYNC |
товару немає в наявності |
|
| CY7C1062GE30-10BGXIT | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 512kx32bit Access time: 10ns Case: PBGA119 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 2.2...3.6V DC |
товару немає в наявності |