CY7C1071DV33-12BAXI Infineon Technologies
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7858.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY7C1071DV33-12BAXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C1071DV33-12BAXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 32 Mbit, 2M x 16 Bit, FBGA, 48 Pin(s), 3 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 32Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 2M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції CY7C1071DV33-12BAXI за ціною від 7031.08 грн до 10144.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CY7C1071DV33-12BAXI | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGAPackaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (8x9.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 12 ns Memory Organization: 2M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CY7C1071DV33-12BAXI | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1071DV33-12BAXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 32 Mbit, 2M x 16 Bit, FBGA, 48 Pin(s), 3 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 32Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 2M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CY7C1071DV33-12BAXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM 32Mb 3.3V 12ns 2Mx16 Fast Async SRAM |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CY7C1071DV33-12BAXI | Виробник : Cypress |
|
на замовлення 188 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| CY7C1071DV33-12BAXI | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
CY7C1071DV3312BAXI Parallel SRAM memories - integ. circ. |
товару немає в наявності |