CY7C109D-10VXI Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 274.92 грн |
| 23+ | 240.25 грн |
| 46+ | 234.70 грн |
| 69+ | 217.22 грн |
| 115+ | 213.38 грн |
| 253+ | 207.50 грн |
| 506+ | 199.05 грн |
| 1012+ | 194.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY7C109D-10VXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C109D-10VXI - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOJ-32, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOJ, Speicherdichte: 1Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 5V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції CY7C109D-10VXI за ціною від 116.48 грн до 451.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CY7C109D-10VXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 10ns 32-Pin SOJ Tube |
на замовлення 1103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CY7C109D-10VXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM 1Mb 10ns 128K x 8 Fast Async SRAM |
на замовлення 1737 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CY7C109D-10VXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 10ns 32-Pin SOJ Tube |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CY7C109D-10VXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 10ns 32-Pin SOJ Tube |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CY7C109D-10VXI | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C109D-10VXI - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOJ-32 tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CY7C109D-10VXI | Виробник : Cypress Semiconductor |
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Мбайт, Орг. пам. = 128K x 8, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-32 Од. вим: шт кількість в упаковці: 23 шт |
на замовлення 77 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
CY7C109D-10VXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 10ns 32-Pin SOJ Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| CY7C109D-10VXI | Виробник : Cypress Semiconductor |
Група товару: Мікросхеми пам'яті Од. вим: шт |
товару немає в наявності |