Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > CY7C2663KV18-550BZXI
CY7C2663KV18-550BZXI

CY7C2663KV18-550BZXI Infineon Technologies

-word_burst_architecture_2.5_cycle_read_latency_with_odt.pdf Виробник: Infineon Technologies
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 144M-bit 8M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+35530.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CY7C2663KV18-550BZXI Infineon Technologies

Description: IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 165-LBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 144Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+, Clock Frequency: 550 MHz, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17), Memory Interface: Parallel, Memory Organization: 8M x 18, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції CY7C2663KV18-550BZXI за ціною від 35614.11 грн до 37634.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CY7C2663KV18-550BZXI CY7C2663KV18-550BZXI Виробник : Infineon Technologies -word_burst_architecture_2.5_cycle_read_latency_with_odt.pdf SRAM Chip Sync Dual 1.8V 144M-bit 8M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+35614.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C2663KV18-550BZXI CY7C2663KV18-550BZXI Виробник : Infineon Technologies -word_burst_architecture_2.5_cycle_read_latency_with_odt.pdf SRAM Chip Sync Dual 1.8V 144M-bit 8M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+37634.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C2663KV18-550BZXI CY7C2663KV18-550BZXI Виробник : Infineon Technologies -word_burst_architecture_2.5_cycle_read_latency_with_odt.pdf SRAM Chip Sync Dual 1.8V 144M-bit 8M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C2663KV18-550BZXI CY7C2663KV18-550BZXI Виробник : Infineon Technologies -word_burst_architecture_2.5_cycle_read_latency_with_odt.pdf SRAM Chip Sync Dual 1.8V 144M-bit 8M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C2663KV18-550BZXI CY7C2663KV18-550BZXI Виробник : Infineon Technologies Infineon-CY7C2663KV18_CY7C2665KV18_144-Mbit_QDR_II+_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)_with_ODT-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec22b793711 Description: IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 144Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
Clock Frequency: 550 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 8M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C2663KV18-550BZXI Виробник : Cypress Semiconductor 001-44141_CY7C2663KV18_CY7C2665KV18_144-Mbit_QDR_R-347263.pdf SRAM 144Mb, 1.8V, 550Mhz (8Mx18) QDR II SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C2663KV18-550BZXI Виробник : Infineon Technologies Infineon_CY7C2663KV18_CY7C2665KV18_144_Mbit_QDR_II-3161448.pdf SRAM 144Mb, 1.8V, 550Mhz (8Mx18) QDR II SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C2663KV18-550BZXI Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C2663KV18_CY7C2665KV18_144-Mbit_QDR_II+_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)_with_ODT-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec22b793711 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 144MbSRAM; 8Mx18bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 144Mb SRAM
Memory organisation: 8Mx18bit
Case: FBGA165
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Frequency: 550MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.