CY7S1049GE30-10VXI Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 8
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 36-SOJ
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY7S1049GE30-10VXI Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 512K x 8, Access Time: 10 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Supplier Device Package: 36-SOJ, Memory Format: SRAM, Technology: SRAM - Asynchronous, Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 4Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width), Packaging: Bulk.
Інші пропозиції CY7S1049GE30-10VXI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CY7S1049GE30-10VXI | Cypress Semiconductor |
SRAM Async SRAMS |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CY7S1049GE30-10VXI |
|
Виробник: Cypress Semiconductor
SRAM Async SRAMS
SRAM Async SRAMS
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)