
D1131SH65TXPSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE GEN PURP 6.5KV 1100A
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AE
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1100A
Operating Temperature - Junction: 0°C ~ 140°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 6500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5.6 V @ 2500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 mA @ 6500 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 103803.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис D1131SH65TXPSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 6.5KV 1100A, Packaging: Tray, Package / Case: DO-200AE, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1100A, Operating Temperature - Junction: 0°C ~ 140°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 6500 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5.6 V @ 2500 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 mA @ 6500 V.
Інші пропозиції D1131SH65TXPSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
D1131SH65TXPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
D1131SH65TXPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |