Технічний опис D1961SH45TXPSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 4.5KV 2380A, Packaging: Tray, Package / Case: DO-200AE, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2380A, Operating Temperature - Junction: 0°C ~ 140°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4500 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2500 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 mA @ 4500 V.
Інші пропозиції D1961SH45TXPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
D1961SH45TXPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Rectifier Diode |
товару немає в наявності |
|
 |
D1961SH45TXPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE GEN PURP 4.5KV 2380A Packaging: Tray Package / Case: DO-200AE Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2380A Operating Temperature - Junction: 0°C ~ 140°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 2500 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 mA @ 4500 V |
товару немає в наявності |