Технічний опис D2601N90TXPSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 9KV 3040A, Packaging: Tray, Package / Case: DO-200AE, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3040A, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 160°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 9000 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 mA @ 9000 V.
Інші пропозиції D2601N90TXPSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
D2601N90TXPSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Rectifier Diode |
товар відсутній |
||
D2601N90TXPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE GEN PURP 9KV 3040A Packaging: Tray Package / Case: DO-200AE Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3040A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 160°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 9000 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 mA @ 9000 V |
товар відсутній |