D2601N90TXPSA1

D2601N90TXPSA1 Infineon Technologies


dgdlfolderiddb3a304412b407950112b42f98a54c5efileiddb3a304412b4079.pdf Виробник: Infineon Technologies
Rectifier Diode
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис D2601N90TXPSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE GEN PURP 9KV 3040A, Packaging: Tray, Package / Case: DO-200AE, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3040A, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 160°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 9000 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 mA @ 9000 V.

Інші пропозиції D2601N90TXPSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
D2601N90TXPSA1 D2601N90TXPSA1 Виробник : Infineon Technologies dgdlfolderiddb3a304412b407950112b42f98a54c5efileiddb3a304412b4079.pdf Rectifier Diode
товар відсутній
D2601N90TXPSA1 D2601N90TXPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-D2601N-DS-v9_1-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43181865462 Description: DIODE GEN PURP 9KV 3040A
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AE
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3040A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 160°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 9000 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 mA @ 9000 V
товар відсутній