Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції D44H8 за ціною від 32.72 грн до 129.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
D44H8 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
D44H8 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
D44H8 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 60V 10A TO220Power - Max: 50 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Supplier Device Package: TO-220 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 1781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
D44H8 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - D44H8 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 50 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 50W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
D44H8 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT Gen Low Voltage PWR 60V Vceo 10A Ic |
на замовлення 2829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
D44H8 | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
D44H8 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - D44H8 - TRANSISTOR, NPN, 8A 60V TO-220tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 630 шт В кошику од. на суму грн. |
| D44H8 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 33.05 грн |
| 2000+ | 32.72 грн |
| D44H8 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 33.05 грн |
| 2000+ | 32.72 грн |
| D44H8 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 60V 10A TO220
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: TRANS NPN 60V 10A TO220
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 129.12 грн |
| 50+ | 59.07 грн |
| 100+ | 52.74 грн |
| 500+ | 39.07 грн |
| 1000+ | 35.72 грн |
| D44H8 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - D44H8 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - D44H8 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| D44H8 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Gen Low Voltage PWR 60V Vceo 10A Ic
Bipolar Transistors - BJT Gen Low Voltage PWR 60V Vceo 10A Ic
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| D44H8 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| D44H8 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - D44H8 - TRANSISTOR, NPN, 8A 60V TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - D44H8 - TRANSISTOR, NPN, 8A 60V TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







