Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції D44H8 за ціною від 29.57 грн до 128.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
D44H8 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
D44H8 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
D44H8G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
D44H8G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
D44H8G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
D44H8G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
D44H8G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
D44H8G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
D44H8G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Current gain: 40 Frequency: 50MHz |
на замовлення 719 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
D44H8 | STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 50W; TO220 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220 Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
D44H8G | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
D44H8 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 60V 10A TO220Power - Max: 50 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Supplier Device Package: TO-220 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 1781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
D44H8G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 50W NPN |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
D44H8G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - D44H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 2 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
D44H8 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT Gen Low Voltage PWR 60V Vceo 10A Ic |
на замовлення 2829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
D44H8 | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
D44H8 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - D44H8 - TRANSISTOR, NPN, 8A 60V TO-220tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 630 шт В кошику од. на суму грн. |
| D44H8 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 32.90 грн |
| 2000+ | 32.57 грн |
| D44H8 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 32.90 грн |
| 2000+ | 32.57 грн |
| D44H8G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 50.18 грн |
| 100+ | 47.88 грн |
| D44H8G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 280+ | 50.18 грн |
| 294+ | 47.88 грн |
| D44H8G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 625+ | 56.27 грн |
| 1000+ | 51.89 грн |
| D44H8G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 228+ | 61.70 грн |
| D44H8G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 66.71 грн |
| 50+ | 66.04 грн |
| 100+ | 61.38 грн |
| 500+ | 47.23 грн |
| 1000+ | 37.47 грн |
| D44H8G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 211+ | 66.71 грн |
| 213+ | 66.04 грн |
| 229+ | 61.38 грн |
| 500+ | 47.23 грн |
| 1000+ | 37.47 грн |
| D44H8G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 40
Frequency: 50MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 40
Frequency: 50MHz
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 80.71 грн |
| 10+ | 53.62 грн |
| 50+ | 42.25 грн |
| 100+ | 38.38 грн |
| 500+ | 36.16 грн |
| D44H8 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 50W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 50W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 99.34 грн |
| 6+ | 71.65 грн |
| 10+ | 59.71 грн |
| 25+ | 45.79 грн |
| 50+ | 38.13 грн |
| 100+ | 36.07 грн |
| D44H8G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 107.76 грн |
| 50+ | 49.19 грн |
| 100+ | 43.87 грн |
| 500+ | 32.39 грн |
| 1000+ | 29.57 грн |
| D44H8 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 60V 10A TO220
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: TRANS NPN 60V 10A TO220
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 128.54 грн |
| 50+ | 58.81 грн |
| 100+ | 52.50 грн |
| 500+ | 38.90 грн |
| 1000+ | 35.56 грн |
| D44H8G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 50W NPN
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 50W NPN
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| D44H8G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - D44H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - D44H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| D44H8 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Gen Low Voltage PWR 60V Vceo 10A Ic
Bipolar Transistors - BJT Gen Low Voltage PWR 60V Vceo 10A Ic
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| D44H8 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| D44H8 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - D44H8 - TRANSISTOR, NPN, 8A 60V TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - D44H8 - TRANSISTOR, NPN, 8A 60V TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)










