D45H11G ON Semiconductor
на замовлення 10650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 549+ | 22.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис D45H11G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції D45H11G за ціною від 21.35 грн до 99.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
D45H11G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
D45H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
D45H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
D45H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
D45H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
D45H11G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
D45H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
D45H11G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 10A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 2209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
D45H11G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP |
на замовлення 2604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
D45H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| D45H11G | Виробник : ON |
2010+ |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |