Технічний опис D45H11G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції D45H11G за ціною від 17.20 грн до 85.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
D45H11G | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 1368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
D45H11G | ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB Type of transistor: PNP Mounting: THT Collector current: 10A Current gain: 40 Power dissipation: 50W Collector-emitter voltage: 80V Frequency: 40MHz Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220AB |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
D45H11G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 10A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 10574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
D45H11G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
D45H11G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP |
на замовлення 2407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| D45H11G | ST |
PNP 80V 10A 2W D45H11G TD45H11G кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| D45H11G | ON |
2010+ |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| D45H11G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 498+ | 28.25 грн |
| D45H11G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Collector current: 10A
Current gain: 40
Power dissipation: 50W
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 40MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Collector current: 10A
Current gain: 40
Power dissipation: 50W
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 40MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 75.39 грн |
| 10+ | 45.21 грн |
| 50+ | 33.11 грн |
| D45H11G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS PNP 80V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 10574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 85.44 грн |
| 50+ | 38.53 грн |
| 100+ | 34.24 грн |
| 500+ | 25.04 грн |
| 1000+ | 22.76 грн |
| 2000+ | 20.84 грн |
| 5000+ | 18.46 грн |
| 10000+ | 17.20 грн |
| D45H11G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| D45H11G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)