D45H11G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 481+ | 30.36 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
481 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис D45H11G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 70W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції D45H11G за ціною від 25.08 грн до 157.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
D45H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
D45H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
D45H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
D45H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
D45H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
D45H11G | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Current gain: 40 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 40MHz |
на замовлення 410 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
D45H11G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP |
на замовлення 3409 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
D45H11G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 10A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 3688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
D45H11G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 70W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
D45H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| D45H11G | ST |
D45H11G PNP 80V 10A 2W TD45H11G |
на замовлення 150 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
| D45H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 43.24 грн |
| 50+ | 41.82 грн |
| 100+ | 40.62 грн |
| 500+ | 33.61 грн |
| D45H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 47.21 грн |
| 100+ | 45.09 грн |
| D45H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 58.67 грн |
| 50+ | 55.07 грн |
| 100+ | 52.22 грн |
| 500+ | 38.71 грн |
| D45H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 249+ | 58.67 грн |
| 265+ | 55.07 грн |
| 280+ | 52.22 грн |
| 500+ | 38.71 грн |
| D45H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 225+ | 64.86 грн |
| 500+ | 43.82 грн |
| 1000+ | 41.98 грн |
| 2500+ | 39.28 грн |
| D45H11G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
на замовлення 410 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 84.63 грн |
| 10+ | 59.10 грн |
| 36+ | 26.50 грн |
| 99+ | 25.08 грн |
| D45H11G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
на замовлення 3409 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 98.53 грн |
| 10+ | 71.05 грн |
| 100+ | 46.23 грн |
| 500+ | 34.30 грн |
| 1000+ | 31.11 грн |
| 2500+ | 29.41 грн |
| 5000+ | 26.15 грн |
| D45H11G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS PNP 80V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 157.04 грн |
| 50+ | 72.88 грн |
| 100+ | 65.30 грн |
| 500+ | 48.80 грн |
| 1000+ | 44.79 грн |
| 2000+ | 41.42 грн |
| D45H11G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| D45H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







