
D45H8G ON Semiconductor
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
146+ | 83.93 грн |
244+ | 50.27 грн |
274+ | 44.78 грн |
500+ | 32.83 грн |
1000+ | 26.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис D45H8G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - D45H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції D45H8G за ціною від 22.71 грн до 105.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
D45H8G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
D45H8G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 50W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Current gain: 40 Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
D45H8G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
D45H8G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
D45H8G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
D45H8G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 50W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Current gain: 40 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
D45H8G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
D45H8G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
D45H8G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
D45H8G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |