| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 81.37 грн |
| 10+ | 40.74 грн |
| 100+ | 32.57 грн |
| 500+ | 24.25 грн |
| 1000+ | 20.48 грн |
| 2500+ | 20.27 грн |
| 5000+ | 20.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис D45H8G onsemi
Description: ONSEMI - D45H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції D45H8G за ціною від 17.60 грн до 101.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
D45H8G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 67973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
D45H8G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
D45H8G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
D45H8G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - D45H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 10 A, 70 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| D45H8G | Виробник : ON-Semiconductor |
PNP 60V 10A 2W 40MHz D45H8G TD45H8Gкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
D45H8G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
D45H8G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| D45H8G | Виробник : On Semiconductor |
TO220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |



