D45H8G ON Semiconductor
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 146+ | 85.34 грн |
| 244+ | 51.11 грн |
| 274+ | 45.53 грн |
| 500+ | 33.39 грн |
| 1000+ | 26.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис D45H8G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - D45H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції D45H8G за ціною від 19.11 грн до 103.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
D45H8G | Виробник : onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 50W PNP |
на замовлення 1279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
D45H8G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
D45H8G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 26196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
D45H8G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - D45H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| D45H8G | Виробник : ON-Semicoductor |
PNP 60V 10A 2W 40MHz D45H8G TD45H8G кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| D45H8G | Виробник : ONSEMI |
D45H8G PNP THT transistors |
на замовлення 219 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
D45H8G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
D45H8G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
D45H8G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товару немає в наявності |