
D5810N06TVFXPSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE GEN PURP 600V 5800A
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-200AC, K-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5800A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 mA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 27185.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис D5810N06TVFXPSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 600V 5800A, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-200AC, K-PUK, Mounting Type: Clamp On, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 5800A, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 mA @ 600 V.
Інші пропозиції D5810N06TVFXPSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
D5810N06TVFXPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
D5810N06TVFXPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
D5810N06TVFXPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: DO-200AC, K-PUK Mounting Type: Clamp On Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5800A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 mA @ 600 V |
товару немає в наявності |