Технічний опис D711N65TXPSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 6.5KV 1070A, Packaging: Tray, Package / Case: DO-200AB, B-PUK, Mounting Type: Clamp On, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1070A, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 160°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 6500 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1200 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 6500 V.
Інші пропозиції D711N65TXPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
D711N65TXPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Rectifier Diode 6.5KV 1.07KA Tray |
товар відсутній |
|
 |
D711N65TXPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE GEN PURP 6.5KV 1070A Packaging: Tray Package / Case: DO-200AB, B-PUK Mounting Type: Clamp On Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1070A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 160°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 6500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 6500 V |
товар відсутній |