на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2684.81 грн |
| 10+ | 2469.1 грн |
| 20+ | 2056.25 грн |
| 50+ | 1992.16 грн |
| 100+ | 1863.98 грн |
| 200+ | 1799.22 грн |
| 500+ | 1787.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DAA200X1800NA IXYS
Category: Diode modules, Description: Module: diode; double independent; 1.8kV; If: 100Ax2; SOT227B, Max. off-state voltage: 1.8kV, Semiconductor structure: double independent, Case: SOT227B, Type of module: diode, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect, Max. forward voltage: 1.21V, Load current: 100A x2, Max. forward impulse current: 1.5kA, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DAA200X1800NA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DAA200X1800NA | Виробник : Littelfuse |
 Avalanche Rectifier |
товар відсутній |
||
 |
DAA200X1800NA | Виробник : IXYS |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.8kV; If: 100Ax2; SOT227B Max. off-state voltage: 1.8kV Semiconductor structure: double independent Case: SOT227B Type of module: diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Max. forward voltage: 1.21V Load current: 100A x2 Max. forward impulse current: 1.5kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
DAA200X1800NA | Виробник : IXYS |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.8kV; If: 100Ax2; SOT227B Max. off-state voltage: 1.8kV Semiconductor structure: double independent Case: SOT227B Type of module: diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Max. forward voltage: 1.21V Load current: 100A x2 Max. forward impulse current: 1.5kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |