на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3107.87 грн |
| 10+ | 2603.47 грн |
| 100+ | 2012.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DAA200XA1800NA IXYS
Category: Diode modules, Description: Module: diode; double independent; 1.8kV; If: 100Ax2; SOT227B, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect, Semiconductor structure: double independent, Type of semiconductor module: diode, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Max. forward voltage: 1.21V, Load current: 100A x2, Max. off-state voltage: 1.8kV, Max. forward impulse current: 1.5kA, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DAA200XA1800NA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DAA200XA1800NA | Виробник : Littelfuse |
 Avalanche Rectifier |
товару немає в наявності |
||
 |
DAA200XA1800NA | Виробник : IXYS |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.8kV; If: 100Ax2; SOT227B Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Semiconductor structure: double independent Type of semiconductor module: diode Case: SOT227B Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Max. forward voltage: 1.21V Load current: 100A x2 Max. off-state voltage: 1.8kV Max. forward impulse current: 1.5kA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
|
|
DAA200XA1800NA | Виробник : IXYS |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.8kV; If: 100Ax2; SOT227B Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Semiconductor structure: double independent Type of semiconductor module: diode Case: SOT227B Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Max. forward voltage: 1.21V Load current: 100A x2 Max. off-state voltage: 1.8kV Max. forward impulse current: 1.5kA |
товару немає в наявності |