DB102-G Comchip Technology
Виробник: Comchip TechnologyDescription: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 17674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 47.31 грн |
| 10+ | 38.68 грн |
| 100+ | 26.88 грн |
| 500+ | 19.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DB102-G Comchip Technology
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DB, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DB, Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V.
Інші пропозиції DB102-G за ціною від 12.05 грн до 64.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DB102-G | Виробник : Comchip Technology |
Rectifier Bridge Diode Single 100V 1A 4-Pin Case DB Tube |
на замовлення 17100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DB102-G | Виробник : Comchip Technology |
Bridge Rectifiers VR=100V, IO=1A |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DB102G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 100V 1A 4-Pin Case DB |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DB102G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DBPackaging: Bulk Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: DB Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 1 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
DB102G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A 100P/70 |
товару немає в наявності |

