Продукція > COMCHIP TECHNOLOGY > DB106-G
DB106-G

DB106-G Comchip Technology

qw-bbr9420db101-g20thru.20db107-g20reva.pdf Виробник: Comchip Technology
Rectifier Bridge Diode Single 800V 1A 4-Pin Case DB Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DB106-G Comchip Technology

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DB, Part Status: Obsolete, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.

Інші пропозиції DB106-G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DB106-G DB106-G Виробник : Comchip Technology DB101-G Thru318941. DB107-G RevC.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DB106G Виробник : TI db105g.pdf N/A DIP4
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DB106G DB106G Виробник : GeneSiC Semiconductor db106g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 1A 4-Pin Case DB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DB106G DB106G Виробник : GeneSiC Semiconductor db106g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 1A 4-Pin Case DB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DB106G Виробник : GeneSiC Semiconductor db105g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DB106G DB106G Виробник : GeneSiC Semiconductor db106g-3480415.pdf Bridge Rectifiers 800V 1A Silicon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DB106-G DB106-G Виробник : Comchip Technology DB101_G_Thru318864__DB107_G_RevC-2505635.pdf Bridge Rectifiers VR=800V, IO=1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.