Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > DB107G
DB107G

DB107G GeneSiC Semiconductor

db107g.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V1A1000P/700
на замовлення 6727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.55 грн
10+57.83 грн
25+40.61 грн
100+29.56 грн
250+23.92 грн
500+20.34 грн
1000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DB107G GeneSiC Semiconductor

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DB, Part Status: Obsolete, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.

Інші пропозиції DB107G за ціною від 27.70 грн до 35.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DB107-G DB107-G Виробник : Comchip Technology qw-bbr9420db101-g20thru.20db107-g20reva.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 1A 4-Pin Case DB Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DB107G Виробник : Navitas Semiconductor db105g.pdf DB107G
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
351+35.22 грн
1000+27.70 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
DB107G DB107G Виробник : GeneSiC Semiconductor db106g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 1A 4-Pin Case DB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DB107G DB107G Виробник : GeneSiC Semiconductor db106g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 1A 4-Pin Case DB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DB107-G DB107-G Виробник : Comchip Technology DB101-G Thru318941. DB107-G RevC.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DB107G Виробник : GeneSiC Semiconductor db105g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DB107-G DB107-G Виробник : Comchip Technology QW_BBR94_DB101_G_Thru._DB107_G_RevA.pdf Bridge Rectifiers VR=1000V, IO=1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.