на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 64.48 грн |
| 12+ | 31.52 грн |
| 100+ | 22.35 грн |
| 500+ | 17.53 грн |
| 1000+ | 14.93 грн |
| 2500+ | 13.55 грн |
| 5000+ | 12.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DB107-G Comchip Technology
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DB, Part Status: Obsolete, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції DB107-G за ціною від 14.08 грн до 100.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DB107G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V1A1000P/700 |
на замовлення 6627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DB107-G | Виробник : Comchip Technology |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 1A 4-Pin Case DB Tube |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| DB107G | Виробник : Navitas Semiconductor |
DB107G |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
DB107G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 1A 4-Pin Case DB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DB107-G | Виробник : Comchip Technology |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB Packaging: Bulk Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: DB Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 1 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DB107G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB Packaging: Bulk Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: DB Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 1 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |