DBL106G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 800 V
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.31 грн |
50+ | 22.65 грн |
100+ | 20.26 грн |
500+ | 14.95 грн |
1000+ | 13.60 грн |
2000+ | 12.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DBL106G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DBL, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 800 V.
Інші пропозиції DBL106G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
DBL106G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
DBL106G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |