DBL106GH Taiwan Semiconductor Corporation

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBL
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.95 грн |
50+ | 22.96 грн |
100+ | 20.54 грн |
500+ | 15.15 грн |
1000+ | 13.79 грн |
2000+ | 12.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DBL106GH Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DBL, Grade: Automotive, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DBL106GH
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
DBL106GH | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |