
DBL107G Taiwan Semiconductor
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 66.91 грн |
10+ | 40.87 грн |
100+ | 22.94 грн |
500+ | 17.58 грн |
1000+ | 14.34 грн |
2500+ | 12.90 грн |
10000+ | 11.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DBL107G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 1A 1000V DBL, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DBL, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції DBL107G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
DBL107G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
DBL107G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
|
DBL107G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: DBL Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 1 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |