DCG10P1200HR IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 12.5A; ISO247™; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 12.5A
Semiconductor structure: double series
Case: ISO247™
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 750A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2861.21 грн |
| 10+ | 2613.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DCG10P1200HR IXYS
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 12.5A; ISO247™; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 12.5A, Semiconductor structure: double series, Case: ISO247™, Max. forward voltage: 2.2V, Max. forward impulse current: 750A, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: ultrafast switching, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DCG10P1200HR за ціною від 2700.73 грн до 3629.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DCG10P1200HR | Виробник : IXYS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 12.5A; ISO247™; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 12.5A Semiconductor structure: double series Case: ISO247™ Max. forward voltage: 2.2V Max. forward impulse current: 750A Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultrafast switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DCG10P1200HR | Виробник : IXYS |
Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY DIODE |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|