DCG130X1200NA
Код товару: 126969
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції DCG130X1200NA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | _PRICE_WITHOUT_VAT | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DCG130X1200NA | IXYS |
Description: DIODE MOD SIC 1200V 64A SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 64A Supplier Device Package: SOT-227B Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 1200 V |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
DCG130X1200NA | IXYS |
SiC Schottky Diodes Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
|
DCG130X1200NA | Littelfuse |
SiC Schottky Diodes Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| DCG130X1200NA |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: DIODE MOD SIC 1200V 64A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 64A
Supplier Device Package: SOT-227B
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 1200 V
Description: DIODE MOD SIC 1200V 64A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 64A
Supplier Device Package: SOT-227B
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 1200 V
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14432.96 грн |
| DCG130X1200NA |
![]() |
Виробник: IXYS
SiC Schottky Diodes Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc
SiC Schottky Diodes Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14866.84 грн |
| 10+ | 14434.55 грн |
| DCG130X1200NA |
![]() |
Виробник: Littelfuse
SiC Schottky Diodes Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc
SiC Schottky Diodes Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14866.84 грн |
| 10+ | 14434.55 грн |



