Продукція > IXYS > DCG45X1200NA

DCG45X1200NA IXYS

Name: DCG45X1200NA
Brand: IXYS
SKU: 4449260-4
Price: 8427.01 UAH
Availability: InStock

Littelfuse_Power_Semiconductors_DCG45X1200NA_Datasheet.pdf

Виробник: IXYS
SiC Schottky Diodes Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	8427.01 грн
10+	7102.35 грн
100+	5390.57 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DCG45X1200NA IXYS

Description: DIODE MOD SIC 1200V 22A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 22A, Supplier Device Package: SOT-227B, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції DCG45X1200NA

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
DCG45X1200NA Код товару: 148116 Додати до обраних Обраний товар		Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DCG45X1200NA	Виробник : IXYS	Description: DIODE MOD SIC 1200V 22A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 22A Supplier Device Package: SOT-227B Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DCG45X1200NA	Виробник : IXYS	Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; 22Ax2; SOT227B; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 22A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 2.2V Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: Schottky Technology: SiC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.