на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8791.21 грн |
| 10+ | 7409.31 грн |
| 100+ | 5623.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DCG45X1200NA IXYS
Description: DIODE MOD SIC 1200V 22A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 22A, Supplier Device Package: SOT-227B, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції DCG45X1200NA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
DCG45X1200NA Код товару: 148116
Додати до обраних
Обраний товар
|
 Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі |
товару немає в наявності
|
|||
 |
DCG45X1200NA | Виробник : IXYS |
Description: DIODE MOD SIC 1200V 22A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 22A Supplier Device Package: SOT-227B Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |