DCK10I1200PA LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - DCK10I1200PA - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 28 A, 62 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 62nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 28A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 356.79 грн |
| 10+ | 263.37 грн |
| 100+ | 169.13 грн |
| 500+ | 145.83 грн |
| 1000+ | 123.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DCK10I1200PA LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - DCK10I1200PA - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 28 A, 62 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 62nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 28A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DCK10I1200PA за ціною від 137.43 грн до 426.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DCK10I1200PA | IXYS |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO- Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 28A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DCK10I1200PA | Littelfuse |
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-220-2L |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| DCK10I1200PA |
|
Виробник: IXYS
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 28A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 28A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 406.96 грн |
| 50+ | 205.87 грн |
| 100+ | 187.94 грн |
| 500+ | 146.89 грн |
| 1000+ | 137.43 грн |
| DCK10I1200PA |
|
Виробник: Littelfuse
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-220-2L
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-220-2L
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 426.86 грн |
| 10+ | 221.50 грн |
| 100+ | 175.35 грн |
| 500+ | 150.49 грн |