| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 209.77 грн |
| 10+ | 155.20 грн |
| 100+ | 146.66 грн |
| 500+ | 124.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DCK10I650PA Littelfuse
Description: LITTELFUSE - DCK10I650PA - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 29.3 A, 25.5 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 25.5nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29.3A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DCK10I650PA за ціною від 88.12 грн до 316.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DCK10I650PA | Виробник : Littelfuse |
Diode Schottky 650V 29.3A 2-Pin(2+Tab) TO-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DCK10I650PA | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - DCK10I650PA - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 29.3 A, 25.5 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 25.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29.3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DCK10I650PA | Виробник : Littelfuse |
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-220-2L |
на замовлення 1069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DCK10I650PA | Виробник : IXYS |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A TO-2Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 398pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 29.3A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DCK10I650PA | Виробник : Littelfuse |
Diode Schottky 650V 29.3A 2-Pin(2+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| DCK10I650PA | Виробник : LITTELFUSE |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 29.3A; TO220-2; Ir: 1uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 29.3A Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.55V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 1µA Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode |
товару немає в наявності |


