Продукція > LITTELFUSE > DCK30C1200HB
DCK30C1200HB

DCK30C1200HB Littelfuse

Littelfuse_03-25-2025_Power_Semiconductor_SiC_Schottky_Diode_DCK30C1200HB_Datasheet.pdf
Виробник: Littelfuse
SiC Schottky Diodes common cathode 1200V 30A TO-247-3L
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+682.17 грн
10+459.66 грн
120+328.60 грн
510+274.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DCK30C1200HB Littelfuse

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 44A; TO247-3; Ir: 2uA, Mounting: THT, Case: TO247-3, Kind of package: tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Leakage current: 2µA, Max. forward voltage: 1.7V, Load current: 44A, Max. forward impulse current: 120A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: common cathode; double.

Інші пропозиції DCK30C1200HB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DCK30C1200HB IXYS DCK30C1200HB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 44A; TO247-3; Ir: 2uA
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 2µA
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 44A
Max. forward impulse current: 120A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCK30C1200HB DCK30C1200HB.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 44A; TO247-3; Ir: 2uA
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 2µA
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 44A
Max. forward impulse current: 120A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.