на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 34.35 грн |
| 13+ | 27.35 грн |
| 100+ | 16.83 грн |
| 500+ | 13.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DCP55-16-13 Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції DCP55-16-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DCP55-16-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
DCP55-16-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
DCP55-16-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |
|
| DCP55-16-13 | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |