DCP55-16-13

DCP55-16-13 Diodes Incorporated


diodes inc._ds30707-1164095.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1W 60V
на замовлення 464 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.77 грн
13+25.30 грн
100+15.57 грн
500+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DCP55-16-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223-3, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-223-3, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DCP55-16-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DCP55-16-13 DCP55-16-13 Виробник : Diodes Incorporated DCP55_-16.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DCP55-16-13 Виробник : onsemi DCP55_-16.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.