Продукція > DIODES INCORPORATED > DCX114EU-13R-F
DCX114EU-13R-F

DCX114EU-13R-F Diodes Incorporated

DCX_XXXX_U.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 5430000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.04 грн
20000+1.78 грн
30000+1.68 грн
50000+1.48 грн
70000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DCX114EU-13R-F Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-363.

Інші пропозиції DCX114EU-13R-F за ціною від 1.62 грн до 16.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DCX114EU-13R-F DCX114EU-13R-F Виробник : Diodes Incorporated DCX_XXXX_U.pdf Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 5439650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.12 грн
34+9.12 грн
100+5.62 грн
500+3.85 грн
1000+3.39 грн
2000+3.00 грн
5000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DCX114EU-13R-F Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005038934_1-2542667.pdf Digital Transistors SS Comp Dual Trans 200mW 10kOhm
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+16.31 грн
35+9.73 грн
100+3.38 грн
1000+2.65 грн
2500+2.28 грн
10000+1.77 грн
20000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DCX114EU-13R-F DCX114EU-13R-F Виробник : Diodes Zetex ds30347.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DCX114EU-13R-F DCX114EU-13R-F Виробник : Diodes Inc 2848639580378091ds30347.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.