DD1200S12H4 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE MOD GP 1200V AGIHMB130-2
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: AG-IHMB130-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 1200 A
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DD1200S12H4 Infineon Technologies
Description: DIODE MOD GP 1200V AGIHMB130-2, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Supplier Device Package: AG-IHMB130-2, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 1200 A.
Інші пропозиції DD1200S12H4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DD1200S12H4 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules IGBT Module 1200A 1200V |
товару немає в наявності |