DD1200S12H4HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1200A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1200000 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DD1200S12H4HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1200A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 1200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1200000 W.
Інші пропозиції DD1200S12H4HOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
DD1200S12H4HOSA1 | Infineon Technologies |
Rectifier Diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| DD1200S12H4HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Rectifier Diode
Rectifier Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.



