DD1200S17H4B2BOSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE MOD GP 1700V AGIHMB130-1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: AG-IHMB130-1
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 1200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1250 A @ 900 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 66894.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DD1200S17H4B2BOSA2 Infineon Technologies
Description: DIODE MOD GP 1700V AGIHMB130-1, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Supplier Device Package: AG-IHMB130-1, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 1200 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1250 A @ 900 V.
Інші пропозиції DD1200S17H4B2BOSA2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DD1200S17H4B2BOSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
High Insulated Diode Module |
товару немає в наявності |
|
 |
DD1200S17H4B2BOSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode 1.7KV 1.2KA 4-Pin IHMB130-1 Tray |
товару немає в наявності |