DD800S17H4B2BOSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE MODULE GP 1700V AGIHMB1301
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: AG-IHMB130-1
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 800 A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 60869.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DD800S17H4B2BOSA2 Infineon Technologies
Description: DIODE MODULE GP 1700V AGIHMB1301, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Supplier Device Package: AG-IHMB130-1, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 800 A.
Інші пропозиції DD800S17H4B2BOSA2 за ціною від 70337.64 грн до 70337.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DD800S17H4B2BOSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE MODULE GP 1700V AGIHMB1301 Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Supplier Device Package: AG-IHMB130-1 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 800 A |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
DD800S17H4B2BOSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
High Insulated Diode Module |
товару немає в наявності |