Продукція > DIODES INC > DDA114EH-7
DDA114EH-7

DDA114EH-7 Diodes Inc

1090719271394792ds30420.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDA114EH-7 Diodes Inc

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.

Інші пропозиції DDA114EH-7 за ціною від 4.34 грн до 46.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DDA114EH-7 DDA114EH-7 Виробник : Diodes Incorporated ds30420.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.22 грн
6000+6.31 грн
9000+5.98 грн
15000+5.26 грн
21000+5.05 грн
30000+4.85 грн
75000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DDA114EH-7 DDA114EH-7 Виробник : Diodes Incorporated ds30420.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.16 грн
12+27.51 грн
100+17.60 грн
500+12.49 грн
1000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DDA114EH-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds30420.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; 10kΩ
Case: SOT563
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDA114EH-7 DDA114EH-7 Виробник : Diodes Incorporated ds30420.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDA114EH-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds30420.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; 10kΩ
Case: SOT563
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.