DDA114EU-7-F Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 2247000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.29 грн |
| 6000+ | 4.60 грн |
| 9000+ | 4.35 грн |
| 15000+ | 3.82 грн |
| 21000+ | 3.66 грн |
| 30000+ | 3.50 грн |
| 75000+ | 3.11 грн |
| 150000+ | 2.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDA114EU-7-F Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DDA114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DDA114EU-7-F за ціною від 3.25 грн до 26.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DDA114EU-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDA114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DDA114EU-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Digital Transistors DUAL PNP 200mW |
на замовлення 65004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DDA114EU-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 2249838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DDA114EU-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDA114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DDA114EU-7-F | Виробник : Diodes Inc |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| DDA114EU-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT363; R1: 10kΩ Case: SOT363 Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 30 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP x2 Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| DDA114EU-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT363; R1: 10kΩ Case: SOT363 Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 30 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP x2 Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Mounting: SMD |
товару немає в наявності |