
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 INFINEON

Description: INFINEON - DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 20 A, 1.85 V, Brücke, Modul, 16 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.85V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: EasyBRIDGE CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4290.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 20 A, 1.85 V, Brücke, Modul, 16 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Modul, Durchlassstoßstrom: 150A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 1.85V, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: EasyBRIDGE CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Konfiguration Diodenmodul: Brücke, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 за ціною від 4823.97 грн до 5396.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide Schottky Supplier Device Package: AG-EASY1B-1 Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV Current - Average Rectified (Io): 20 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 58 µA @ 1200 V |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
![]() |
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide Schottky Supplier Device Package: AG-EASY1B-1 Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV Current - Average Rectified (Io): 20 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 58 µA @ 1200 V |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |