DDB2U40N12W1RFB11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 40A EASY1B1
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: AG-EASY1B-1
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 116 µA @ 1200 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDB2U40N12W1RFB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 40A EASY1B1, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide Schottky, Supplier Device Package: AG-EASY1B-1, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV, Current - Average Rectified (Io): 40 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 40 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 116 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції DDB2U40N12W1RFB11BPSA1 за ціною від 4486.21 грн до 6241.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DDB2U40N12W1RFB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 40A EASY1B1 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide Schottky Supplier Device Package: AG-EASY1B-1 Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV Current - Average Rectified (Io): 40 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 116 µA @ 1200 V |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
DDB2U40N12W1RFB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Diode Modules 1200 V, 40 A EasyBRIDGE diode module |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| DDB2U40N12W1RFB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 40A EASY1B1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: AG-EASY1B-1
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 116 µA @ 1200 V
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 40A EASY1B1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: AG-EASY1B-1
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 116 µA @ 1200 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6128.55 грн |
| DDB2U40N12W1RFB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Diode Modules 1200 V, 40 A EasyBRIDGE diode module
Diode Modules 1200 V, 40 A EasyBRIDGE diode module
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6241.23 грн |
| 10+ | 5912.96 грн |
| 120+ | 4486.21 грн |