Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > DDB2U60N12W3RFC39BPSA1
DDB2U60N12W3RFC39BPSA1

DDB2U60N12W3RFC39BPSA1 Infineon Technologies

Infineon-DDB2U60N12W3RF_C39-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac8019169b97ea953dc
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 950V 135A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 135 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 7.9 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24600 pF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+11291.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDB2U60N12W3RFC39BPSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 950V 135A 20MW, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Dual, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 135 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 7.9 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DDB2U60N12W3RFC39BPSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
DDB2U60N12W3RFC39BPSA1 Infineon Technologies infineon_ddb2u60n12w3rf_c39_datasheet_en.pdf Diode Modules EASY PLUS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N12W3RFC39BPSA1 infineon_ddb2u60n12w3rf_c39_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Modules EASY PLUS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.