DDB6U50N16W1RBPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 6.2 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 6.2 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2526.9 грн |
24+ | 2168.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDB6U50N16W1RBPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - DDB6U50N16W1RBPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 50 A, 960 mV, Brücke, Modul, 26 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Modul, Durchlassstoßstrom: 500A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 960mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV, Anzahl der Pins: 26Pins, Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Konfiguration Diodenmodul: Brücke, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DDB6U50N16W1RBPSA1 за ціною від 2731.2 грн до 4206.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DDB6U50N16W1RBPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - DDB6U50N16W1RBPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 50 A, 960 mV, Brücke, Modul, 26 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Modul Durchlassstoßstrom: 500A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 960mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV Anzahl der Pins: 26Pins Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Konfiguration Diodenmodul: Brücke Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DDB6U50N16W1RBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules EASY STANDARD |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DDB6U50N16W1RBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DDB6U50N16W1RBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DDB6U50N16W1RBPSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.6kV Collector current: 50A Case: AG-EASY1B Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Technology: TRENCHSTOP™ Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DDB6U50N16W1RBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies | SP005578338 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DDB6U50N16W1RBPSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.6kV Collector current: 50A Case: AG-EASY1B Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Technology: TRENCHSTOP™ Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |