DDB6U50N16W1RBPSA1

DDB6U50N16W1RBPSA1 Infineon Technologies


Infineon-DDB6U50N16W1R-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017facf4ed7040ac Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 6.2 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2526.9 грн
24+ 2168.29 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDB6U50N16W1RBPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - DDB6U50N16W1RBPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 50 A, 960 mV, Brücke, Modul, 26 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Modul, Durchlassstoßstrom: 500A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 960mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV, Anzahl der Pins: 26Pins, Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Konfiguration Diodenmodul: Brücke, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DDB6U50N16W1RBPSA1 за ціною від 2731.2 грн до 4206.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DDB6U50N16W1RBPSA1 DDB6U50N16W1RBPSA1 Виробник : INFINEON 3708154.pdf Description: INFINEON - DDB6U50N16W1RBPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 50 A, 960 mV, Brücke, Modul, 26 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 500A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 960mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 26Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4044.94 грн
5+ 3738.63 грн
10+ 3431.57 грн
DDB6U50N16W1RBPSA1 DDB6U50N16W1RBPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_DDB6U50N16W1R_DataSheet_v00_10_DE-3161729.pdf Discrete Semiconductor Modules EASY STANDARD
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4206.74 грн
10+ 3768.91 грн
24+ 3168.49 грн
48+ 3059 грн
120+ 2949.51 грн
264+ 2840.69 грн
504+ 2731.2 грн
DDB6U50N16W1RBPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ddb6u50n16w1r-datasheet-v00_10-en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3082.15 грн
DDB6U50N16W1RBPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ddb6u50n16w1r-datasheet-v00_10-en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+3319.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
DDB6U50N16W1RBPSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES DDB6U50N16W1R.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 50A
Case: AG-EASY1B
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: TRENCHSTOP™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DDB6U50N16W1RBPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-DDB6U50N16W1R-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017facf4ed7040ac SP005578338
товар відсутній
DDB6U50N16W1RBPSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES DDB6U50N16W1R.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 50A
Case: AG-EASY1B
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: TRENCHSTOP™
Mechanical mounting: screw
товар відсутній