
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 INFINEON

Description: INFINEON - DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 50 A, 960 mV, Brücke, Modul, 26 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 500A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 960mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2569.93 грн |
5+ | 2248.90 грн |
10+ | 1863.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 50 A, 960 mV, Brücke, Modul, 26 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Modul, Durchlassstoßstrom: 500A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 960mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV, Anzahl der Pins: 26Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series, productTraceability: No, Konfiguration Diodenmodul: Brücke, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 за ціною від 1821.81 грн до 3803.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-EASY1B IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 6.2 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |