Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > DDB6U75N16W1RBOMA1
DDB6U75N16W1RBOMA1

DDB6U75N16W1RBOMA1 Infineon Technologies

Infineon-DDB6U75N16W1R-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122f436495e5657
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 69A 335W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 69 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 335 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+4997.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDB6U75N16W1RBOMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 69A 335W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 69 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 335 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V.