
DDB6U75N16W1RBOMA1 INFINEON

Description: INFINEON - DDB6U75N16W1RBOMA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 65 A, 1.1 V, Brücke, Modul, 27 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 605A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 65A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 27Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2945.44 грн |
5+ | 2588.09 грн |
10+ | 2229.92 грн |
50+ | 2029.26 грн |
100+ | 1834.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDB6U75N16W1RBOMA1 INFINEON
Description: INFINEON - DDB6U75N16W1RBOMA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 65 A, 1.1 V, Brücke, Modul, 27 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Modul, Durchlassstoßstrom: 605A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 1.1V, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 65A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV, Anzahl der Pins: 27Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Konfiguration Diodenmodul: Brücke, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції DDB6U75N16W1RBOMA1 за ціною від 5015.19 грн до 5015.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DDB6U75N16W1RBOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 69 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 335 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
DDB6U75N16W1RBOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
DDB6U75N16W1RBOMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |