
DDC114EU-7-F Diodes Inc
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDC114EU-7-F Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DDC114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DDC114EU-7-F за ціною від 1.86 грн до 21.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DDC114EU-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 945000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DDC114EU-7-F | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DDC114EU-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT363; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz Power dissipation: 0.2W Quantity in set/package: 3000pcs. |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DDC114EU-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT363; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz Power dissipation: 0.2W Quantity in set/package: 3000pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DDC114EU-7-F | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DDC114EU-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 946259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DDC114EU-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 3664 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |