DDC114EU-7-F Diodes Zetex
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDC114EU-7-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DDC114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DDC114EU-7-F за ціною від 1.72 грн до 20.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DDC114EU-7-F | Виробник : Diodes Inc |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DDC114EU-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 231000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DDC114EU-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 945000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DDC114EU-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDC114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DDC114EU-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 231000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DDC114EU-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DDC114EU-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DDC114EU-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDC114EU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DDC114EU-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Digital Transistors DUAL NPN 200mW |
на замовлення 8736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DDC114EU-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 946259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| DDC114EU-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DDC114EU-7-F NPN SMD transistors |
на замовлення 2173 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
DDC114EU-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
DDC114EU-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |