Продукція > DIODES INCORPORATED > DDC114EUQ-7-F
DDC114EUQ-7-F

DDC114EUQ-7-F Diodes Incorporated

DDC_XXXX_U.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.56 грн
6000+4.84 грн
9000+4.57 грн
15000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDC114EUQ-7-F Diodes Incorporated

Description: PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 3K, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DDC114EUQ-7-F за ціною від 6.00 грн до 26.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DDC114EUQ-7-F DDC114EUQ-7-F Diodes Incorporated DDC_XXXX_U.pdf Description: PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 3K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.11 грн
20+15.53 грн
100+9.70 грн
500+6.76 грн
1000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDC114EUQ-7-F DDC_XXXX_U.pdf
DDC114EUQ-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 3K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.11 грн
20+15.53 грн
100+9.70 грн
500+6.76 грн
1000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.