Технічний опис DDC114TH-7 Diodes Zetex
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563, Supplier Device Package: SOT-563, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 150mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DDC114TH-7 за ціною від 4.89 грн до 33.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DDC114TH-7 | Diodes Zetex |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DDC114TH-7 | Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DDC114TH-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563 Supplier Device Package: SOT-563 Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DDC114TH-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: SOT-563 Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V |
на замовлення 62980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DDC114TH-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.17 грн |
| DDC114TH-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.17 грн |
| DDC114TH-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.28 грн |
| 6000+ | 6.36 грн |
| 9000+ | 6.03 грн |
| 15000+ | 5.30 грн |
| 21000+ | 5.10 грн |
| 30000+ | 4.89 грн |
| DDC114TH-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
на замовлення 62980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.25 грн |
| 16+ | 19.73 грн |
| 100+ | 12.47 грн |
| 500+ | 8.75 грн |
| 1000+ | 7.80 грн |