Продукція > DIODES INC. > DDC114TU-7-F
DDC114TU-7-F

DDC114TU-7-F DIODES INC.

DIOD-S-A0011561199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDC114TU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.60 грн
1000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDC114TU-7-F DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DDC114TU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DDC114TU-7-F за ціною від 1.91 грн до 36.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DDC114TU-7-F DDC114TU-7-F Виробник : Diodes Incorporated DDC_XXXX_U.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.61 грн
6000+3.13 грн
9000+2.95 грн
15000+2.58 грн
21000+2.47 грн
30000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DDC114TU-7-F DDC114TU-7-F Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011561199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDC114TU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
86+9.63 грн
125+6.59 грн
244+3.38 грн
500+2.60 грн
1000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
DDC114TU-7-F DDC114TU-7-F Виробник : Diodes Incorporated DDC_XXXX_U.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 85551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.99 грн
20+15.98 грн
100+9.99 грн
500+6.96 грн
1000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DDC114TU-7-F DDC114TU-7-F Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011561199_1-2543622.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 200mW
на замовлення 12544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.82 грн
13+27.09 грн
100+13.36 грн
500+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DDC114TU-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED DDC_XXXX_U.pdf DDC114TU-7-F NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.