Продукція > DIODES INCORPORATED > DDC123JU-7-F
DDC123JU-7-F

DDC123JU-7-F Diodes Incorporated

DDC_XXXX_U.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.39 грн
6000+4.69 грн
9000+4.43 грн
15000+3.89 грн
21000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDC123JU-7-F Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DDC123JU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DDC123JU-7-F за ціною від 4.01 грн до 28.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DDC123JU-7-F DDC123JU-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0011561199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDC123JU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.50 грн
500+7.41 грн
1000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DDC123JU-7-F DDC123JU-7-F DIODES INCORPORATED ddcxxxxU.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT363; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN x2
Kind of package: reel; tape
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 100...600
Base resistor: 2.2kΩ
Quantity in set/package: 3000pcs.
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Mounting: SMD
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.85 грн
51+8.38 грн
100+5.39 грн
500+4.36 грн
1000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
DDC123JU-7-F DDC123JU-7-F Diodes Incorporated DDC_XXXX_U.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 27038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.32 грн
21+15.01 грн
100+9.42 грн
500+6.55 грн
1000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DDC123JU-7-F DDC123JU-7-F Diodes Incorporated DDC_XXXX_U.pdf Digital Transistors DUAL NPN 200mW
на замовлення 4799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.43 грн
22+15.20 грн
100+8.23 грн
500+6.19 грн
1000+5.42 грн
3000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DDC123JU-7-F DDC123JU-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0011561199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDC123JU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.14 грн
48+17.15 грн
100+10.50 грн
500+7.41 грн
1000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DDC123JU-7-F DIOD-S-A0011561199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DDC123JU-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDC123JU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.50 грн
500+7.41 грн
1000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DDC123JU-7-F ddcxxxxU.pdf
DDC123JU-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT363; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN x2
Kind of package: reel; tape
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 100...600
Base resistor: 2.2kΩ
Quantity in set/package: 3000pcs.
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Mounting: SMD
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.85 грн
51+8.38 грн
100+5.39 грн
500+4.36 грн
1000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
DDC123JU-7-F DDC_XXXX_U.pdf
DDC123JU-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 27038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.32 грн
21+15.01 грн
100+9.42 грн
500+6.55 грн
1000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DDC123JU-7-F DDC_XXXX_U.pdf
DDC123JU-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Digital Transistors DUAL NPN 200mW
на замовлення 4799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.43 грн
22+15.20 грн
100+8.23 грн
500+6.19 грн
1000+5.42 грн
3000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DDC123JU-7-F DIOD-S-A0011561199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DDC123JU-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDC123JU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+28.14 грн
48+17.15 грн
100+10.50 грн
500+7.41 грн
1000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.