Технічний опис DDC143EH-7 Diodes Zetex
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563, Supplier Device Package: SOT-563, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 150mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DDC143EH-7 за ціною від 5.49 грн до 31.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DDC143EH-7 | Diodes Incorporated |
 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: SOT-563 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DDC143EH-7 | Diodes Incorporated |
Digital Transistors 150MW 4.7K4.7K |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| DDC143EH-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.86 грн |
| 15+ | 20.87 грн |
| 100+ | 10.52 грн |
| 500+ | 8.75 грн |
| 1000+ | 6.81 грн |
| DDC143EH-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Digital Transistors 150MW 4.7K4.7K
Digital Transistors 150MW 4.7K4.7K
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.75 грн |
| 17+ | 19.25 грн |
| 100+ | 10.62 грн |
| 500+ | 7.95 грн |
| 1000+ | 7.10 грн |
| 3000+ | 5.49 грн |