DDTA114ECA-7-F Diodes Zetex
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1892+ | 1.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDTA114ECA-7-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DDTA114ECA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DDTA114ECA-7-F за ціною від 1.39 грн до 19.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DDTA114ECA-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1047000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DDTA114ECA-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 348000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DDTA114ECA-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDTA114ECA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DDTA114ECA-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 350932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DDTA114ECA-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Digital Transistors PRE-BIAS PNP 200mW |
на замовлення 8146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DDTA114ECA-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDTA114ECA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DDTA114ECA-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
 |
DDTA114ECA-7-F | Виробник : Diodes Inc |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
DDTA114ECA-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| DDTA114ECA-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 30 Quantity in set/package: 3000pcs. |
товару немає в наявності |