
DDTA114WE-7-F Diodes Incorporated

Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 4.81 грн |
6000+ | 4.03 грн |
15000+ | 3.43 грн |
30000+ | 3.03 грн |
75000+ | 2.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDTA114WE-7-F Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-523, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms.
Інші пропозиції DDTA114WE-7-F за ціною від 7.77 грн до 27.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DDTA114WE-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
на замовлення 77350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DDTA114WE-7-F | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
DDTA114WE-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT523; R1: 10kΩ Case: SOT523 Mounting: SMD Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 24 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
DDTA114WE-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
DDTA114WE-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT523; R1: 10kΩ Case: SOT523 Mounting: SMD Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 24 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ |
товару немає в наявності |